SOI芯片光電探測器陣列
SOI芯片式光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
SOI芯片光電探測器陣列特性
SOI芯片光電探測器陣列規(guī)格參數(shù)
參數(shù)指標Parameters單位Unit最小值Min.典型值Typ.最大值Max.備注Notes波長范圍 Wavelength rangenm1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm 暗電流Dark currentnA35 50 3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidthGHz 28 光飽和功率 Optical saturation powermW10 響應度 ResponsibilityA/W0.8 0.85 90度光學混頻器損耗 90°mixer lossdB66.56.7 90度光學混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance°5 通道數(shù) Number of channels 8或可定制8 or Can be customized 光纖接入損耗Insertion lossdB≤0.5 偏振相關損耗PDLdB≤0.3 工作溫度范圍Operating temperature range°C-20 50 工作濕度范圍Operating humidity range% +65 芯片尺寸Chip Dimensionsmm4(L)×5(W)×0.5(H)
參數(shù)指標
Parameters
單位
Unit
最小值
Min.
典型值
Typ.
最大值
Max.
備注
Notes
波長范圍
Wavelength range
nm
1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流
Dark current
nA
35
50
3 dB模擬帶寬
3 dB bandwidth
GHz
28
光飽和功率
Optical saturation power
mW
10
響應度
Responsibility
A/W
0.8
0.85
90度光學混頻器損耗
90°mixer loss
dB
6
6.5
6.7
90度光學混頻器相位失衡度
90°mixer phase unbalance
°
5
通道數(shù)
Number of channels
8或可定制
8 or Can be customized
光纖接入損耗
Insertion loss
≤0.5
偏振相關損耗
PDL
≤0.3
工作溫度范圍
Operating temperature range
°C
-20
工作濕度范圍
Operating humidity range
%
+65
芯片尺寸
Chip Dimensions
mm
4(L)×5(W)×0.5(H)
四川梓冠光電SOI芯片光電探測器陣列訂貨信息
ZG波長Wavelength通道數(shù) Number of channels類型Type 13=1310nm15=1550nm1=1CH4=4CH8=8CH16=CH48=48CHXX=other 1=光電探測器1=PD2=混頻器2=MixerXX=other
ZG
波長
Wavelength
類型
Type
13=1310nm
15=1550nm
1=1CH
4=4CH
8=8CH
16=CH
48=48CH
XX=other
1=光電探測器
1=PD
2=混頻器
2=Mixer
硅基單片集成 9bit 可調光延遲線芯片工作波長典型值1530-1570nm
硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片延時位數(shù)：可定制，可調節(jié)最大延時量254ps
單片集成 6 比特光延時芯片延時位數(shù)：可定制，可調節(jié)最大延時量3729.6ps
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